bjt发射极与集电极如何偏置

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BJT的偏置方式：

①发射结正偏、集电结反偏，BJT处于放大状态 ②发射结反偏、集电结正偏，BJT处于反向应用状态，（一般不宜反向应用）

③二个PN结均正偏，晶体管处于饱合状态 ④二个PN结均反偏，晶体管处于截至状态 返回 UB UC UE UC>UB>UE UC<UBUE ，UB > UC UB<UE ，UB < UC 1 2 7 3 4 5 集电区 基区 发射区 发射结 集电结 N P N+ E 发射极 B 基极 C 集电极 发射结 集电结 N P P+ E 发射极 B 基极 C 集电极

bjt发射极与集电极如何偏置

处于放大状态的PNP型三极管，三个电极的电位关系如下，发射极电位 > 基极电位 > 集电极电位即，Ue > Ub > Uc且Ue > Ub 电压0.7v否则管子无法导通。

1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。

2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

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