npn硅管如何判断工作区域

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三极管工作在饱和区时，其发射结与集电结均为正偏。

对于小功率npn型硅管，呈现为vbe多0.7v(略大于工作在放大区时的数值)，vbc>0v (不大于vbe的值)

对于小功率npn型锗管，类似地有vbe≥0.2v(略大于工作在放大区时的值)，vbc>ov (不大于vbe的值)。

对于pnp型的晶体管，上述电压值的符号相反，即小功率的pnp型硅管，vbe≥-0.7v，vb<0v(不小于vbe的值小功率pnp型锗管，vbe≤-2v，vbc<0v(不小于vbe的值)。

一般情况下，此时的vce≈0.3v(硅管)或 vce≈0.1v(锗管)，如果我们检测出电路中的晶体三极管极间电压符合上述情况，则可判断该三极管工作在饱和区。

npn硅管如何判断工作区域

对于NPN型硅三极管，当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极电压0.4V以上且低于电源电压时，该三极管处于放大状态当基极电压高于发射极0.4V以下或低于发射极电压时，处于截止状态当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极0.3V左右，处于饱和状态。

2、对于PNP型硅三极管，当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极电压0.4V以上且高于电源电压时，该三极管处于放大状态当基极电压低于发射极0.4V以下或高于发射极电压时，处于截止状态当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极0.3V左右，处于饱和状态。

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