2n7002场效应管参数

2n7002是N沟道增强型MOSFET场效应晶体管，特别适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制和功率MOSFET栅极驱动器等。

2n7002场效应管参数：

晶体管极性：N沟道

最大漏极电流（Id ）：280mA

最大电压（Vds ）：60V

功耗（Pd）： 0.2W

开态电阻（Rds(on)）：5Ω

工作温度范围（Tj）：-55℃～+150℃

封装类型：SOT-23